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成分调制的La1-xSrxMnO3复合隧道结

杜永胜 严 辉 应启明 张国成 于敦波 丰家峰 韩秀峰

成分调制的La1-xSrxMnO3复合隧道结

杜永胜, 严 辉, 应启明, 张国成, 于敦波, 丰家峰, 韩秀峰
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出版历程
  • 收稿日期:  2004-11-19
  • 修回日期:  2005-02-15
  • 刊出日期:  2005-05-05

成分调制的La1-xSrxMnO3复合隧道结

  • 1. (1)北京工业大学材料学院薄膜材料与技术研究室,北京 100022; (2)北京有色金属研究总院,有研稀土新材料股份有限公司,北京 100088; (3)北京有色金属研究总院,有研稀土新材料股份有限公司,北京 100088;中国科学院物理研究所磁学国家重点实验室,北京 100080;北京工业大学材料学院薄膜材料与技术研究室,北京 100022; (4)中国科学院物理研究所磁学国家重点实验室,北京 100080
    基金项目: 

    北京市自然科学基金(批准号:2021003)、科技部重大基础研究前期研究专项(批准号:2002 CCC01300)、国家973基础研究专项(批准号:2001CB610601)、国家杰出青年基金(批准号:5 0325104)、国家自然科学基金中国爱尔兰重大国际合作项目(批准号:50271081)和国家自然 科学基金(批准号:10274103)资助的课题.

摘要: 利用磁控溅射和Sr成分的调制以及原位热处理方法,在10mm×10mm大小的(001) 取向SrTiO3单晶衬底上制备出三明治结构为La0.7Sr0.3MnO3(100nm)/La0.96Sr0.04MnO3 (5nm)/ La0.7Sr0.3MnO3 (100nm) 的隧道结外延薄膜,然后再次 利用磁控溅射方法,在三层单晶膜上方继续沉积Ir22Mn78(15n m)/Ni79Fe21(5nm)/Pt(20nm)等金属三层膜.最后利用深紫外曝 光和Ar离子束刻蚀等微加工技术,制备出长短轴分别为12和6μm或者8和4μm大小的椭圆形L a1-xSrxMnO3成分调制的复合磁性隧道结.在4.2K和 外加磁场8 T的测试下,La1-xSrxMnO3成分调制的复 合磁性隧道结其隧穿磁电阻(TMR)比值达到3270%, 直接从实验上证实了铁磁性La0.7Sr0.3MnO3金属氧化物的自旋极化率(97%)可接近100%,具 有很好的半金属性质.

English Abstract

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