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超大规模集成电路互连电迁移自由体积电阻模型

宗兆翔 杜 磊 何 亮 庄奕琪 吴 勇

超大规模集成电路互连电迁移自由体积电阻模型

宗兆翔, 杜 磊, 何 亮, 庄奕琪, 吴 勇
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出版历程
  • 收稿日期:  2005-02-06
  • 修回日期:  2005-06-23
  • 刊出日期:  2005-12-20

超大规模集成电路互连电迁移自由体积电阻模型

  • 1. (1)西安电子科技大学技术物理学院,西安 710071; (2)西安电子科技大学微电子研究所,西安 710071
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:60376023)资助的课题.

摘要: 将晶核析出的Avrami 方程应用于描述超大规模集成电路中金属Al薄膜互连电迁移过程中电阻的演变. 根据电子散射理论,晶界电阻主要起源于晶界处空位或者空洞对电子的散射. 为了描述这些离子的特征,引入了自由体积的概念,将晶界处电子散射这个复杂的过程简化用自由体积的有效散射截面来描述,从而建立了自由体积与电阻变化的定量关系,统一描述了电迁移过程中不同阶段的电阻变化. 数值模拟结果表明,在第一个空洞成核时刻电阻会发生急剧变化,这一结果已被实验所证实.

English Abstract

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