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高密度体系光电离截面新表达式的应用

马晓光 孙卫国 程延松

高密度体系光电离截面新表达式的应用

马晓光, 孙卫国, 程延松
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出版历程
  • 收稿日期:  2004-02-02
  • 修回日期:  2004-07-13
  • 刊出日期:  2005-03-17

高密度体系光电离截面新表达式的应用

  • 1. 四川大学原子与分子物理研究所,成都 610065
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:10074048)和国家教育部科学基金资助的课题.

摘要: 利用实验光谱学的BeerLambert定律和介质中的麦克斯韦方程组,建立了精确的光吸收(光电离)截面表达式,并通过一个随体系粒子数密度和宏观复介电常数而变化的变换函数,将严格截面公式与Fano和Cooper 1968年建立的理想气体的光电离截面公式直接联系起来.建议:1)当知道某密度下正确的体系宏观复介电常数β,γ时,可直接由严格表达式求得高密度下非理想状态的正确光电离截面;2)或当知道该体系的粒子微观极化率η,ζ和其理想气体的精确截面时,用上述变换公式间接求得其他密度时的光电离截面.对氩原子和氙原子的应用表明:当缺乏β,γ时,可由某一合理的宏观电极化率物理(例如克劳修斯-莫索缔)模型来计算β,γ,从而获得高密度体系的截面.这样获得的结果符合被散射物质的光电离(光吸收)截面随体系粒子数密度增大而增加的客观散射现象.而且,考虑了高密度真实体系中粒子间相互作用的宏观电极化率模型越正确,如此求得的散射截面的误差就越小.

English Abstract

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