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Ar环境气压对脉冲激光烧蚀制备纳米Si晶粒平均尺寸的影响

彭英才 王英龙 周 阳 褚立志 傅广生

Ar环境气压对脉冲激光烧蚀制备纳米Si晶粒平均尺寸的影响

彭英才, 王英龙, 周 阳, 褚立志, 傅广生
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出版历程
  • 收稿日期:  2004-06-21
  • 修回日期:  2004-09-02
  • 刊出日期:  2005-04-19

Ar环境气压对脉冲激光烧蚀制备纳米Si晶粒平均尺寸的影响

  • 1. (1)河北大学电子信息工程学院,保定 071002; (2)河北大学物理科学与技术学院,保定 071002
    基金项目: 

    河北省自然科学基金(批准号:500084,503125)资助的课题

摘要: 采用XeCl脉冲准分子激光器,烧蚀高阻抗单晶Si靶,在1—500 Pa的Ar气环境下沉积制备了纳米Si薄膜. x射线衍射谱测量证实,纳米Si晶粒已经形成.利用扫描电子显微镜观测了所形成纳米Si薄膜的表面形貌,结果表明,随着环境气压的增加,所形成的纳米Si晶粒的平均尺寸增大,气压为100 Pa时达到最大值20 nm,而后开始减小. 从晶粒形成动力学角度,对实验结果进行了定性分析.

English Abstract

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