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TM掺杂Ⅱ-Ⅳ-Ⅴ2黄铜矿半导体的电磁性质

曾永志 黄美纯

TM掺杂Ⅱ-Ⅳ-Ⅴ2黄铜矿半导体的电磁性质

曾永志, 黄美纯
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出版历程
  • 收稿日期:  2004-08-10
  • 修回日期:  2004-12-15
  • 刊出日期:  2005-02-05

TM掺杂Ⅱ-Ⅳ-Ⅴ2黄铜矿半导体的电磁性质

  • 1. 厦门大学物理系,厦门 361005
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:10274946,60336010)资助的课题.

摘要: 利用自旋局域密度泛函的第一性原理对3d过渡金属(TM=V,Cr,Mn,Fe,Co和Ni)掺杂的Ⅱ-Ⅳ-Ⅴ22(CdGeP22和ZnGeP22)黄铜矿半导体的电 磁性质进行系统计算.结果发现:V和Cr掺杂的CdGeP22和ZnGeP22将出现铁磁状态(FM),Mn,Fe以及 Co掺杂的CdGeP22和ZnGeP22将出现反铁磁状态(AFM),而Ni掺杂 时

English Abstract

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