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多岛单电子晶体管的实现及其源漏特性分析

郭荣辉 赵正平 郝 跃 刘玉贵 武一宾 吕 苗

多岛单电子晶体管的实现及其源漏特性分析

郭荣辉, 赵正平, 郝 跃, 刘玉贵, 武一宾, 吕 苗
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出版历程
  • 收稿日期:  2004-08-06
  • 修回日期:  2004-12-23
  • 刊出日期:  2005-02-05

多岛单电子晶体管的实现及其源漏特性分析

  • 1. (1)河北半导体研究所,石家庄 050053; (2)西安电子科技大学微电子研究所,西安 710071
    基金项目: 

    专用集成电路国家级重点实验室基金资助的课题.

摘要: 在淀积有纳米间隙栅电极、源电极和漏电极的衬底上生长量子点,制作出多岛结构的单电子晶体管.在77K温度下对源漏特性进行了测试,得到了库仑阻塞特性.并且成功抑制了单岛单电子晶体管中易出现的共隧穿效应,观察到较大的库仑阈值电压.对试验数据进行了分析,阐明了岛的不同结构组态产生的不同输运效果.

English Abstract

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