搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

磁控溅射法制备的CaCu3Ti4O12薄膜

周小莉 杜丕一

磁控溅射法制备的CaCu3Ti4O12薄膜

周小莉, 杜丕一
PDF
导出引用
计量
  • 文章访问数:  3109
  • PDF下载量:  701
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2004-05-31
  • 修回日期:  2004-11-02
  • 刊出日期:  2005-02-05

磁控溅射法制备的CaCu3Ti4O12薄膜

  • 1. (1)台州学院物理系,临海 317000;浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州 310027; (2)浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州 310027
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:19972010)资助的课题.

摘要: 采用溅射方法成功地制备了CaCu33Ti44O1212薄膜, 用原子力显微镜、x射线衍射(XRD)仪和LCR分析仪对样品进行形貌、物相结构和介电性质的研究.XRD表明,薄膜比块体的晶 格常数小但晶格畸变较大;LCR测量结果显示,在相同温度下薄膜比块体的相对介电常数低 ,薄膜相对介电常数由低到高转变时对应的温度较高且激活能较大.分析表明:薄膜的相对 介电常数较低是样品中晶相含量较低、缺陷较多使内部阻挡层电容大量减小、致密度不高引 起的;薄膜中

English Abstract

目录

    /

    返回文章
    返回