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半绝缘砷化镓单晶中碳微区分布的研究

徐岳生 杨新荣 王海云 唐 蕾 刘彩池 魏 欣 覃道志

半绝缘砷化镓单晶中碳微区分布的研究

徐岳生, 杨新荣, 王海云, 唐 蕾, 刘彩池, 魏 欣, 覃道志
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出版历程
  • 收稿日期:  2004-01-09
  • 修回日期:  2004-11-05
  • 刊出日期:  2005-04-19

半绝缘砷化镓单晶中碳微区分布的研究

  • 1. (1)河北工业大学信息功能材料研究所,天津 300130; (2)空军天津航空装备技术训练基地,天津 300131
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号: 59972007)、国防预研基金(批准号: 00JS02.2.1QT4501)和河 北省自然科学基金(批准号:599033)资助的课题.

摘要: 通过AB腐蚀(由Abrahams和Buiocchi发明的腐蚀方法,简称AB腐蚀)、KOH腐蚀,经金相显微镜观察、透射电子显微镜能谱分析、电子探针x射线微区分析,对液封直拉法生长的非掺 半绝缘砷化镓单晶中碳的微区分布进行了分析研究.实验结果表明,碳的微区分布受单晶中 高密度位错网络结构的影响.高密度位错区,位错形成较小的胞状结构,且胞内不存在孤立 位错,碳在单个胞内呈U型分布;较低密度位错区,胞状结构直径较大,且胞内存在孤立位 错,碳在单个胞内呈W型分布.

English Abstract

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