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考虑溅射损失的RF共振法离子引出和收集

谢国锋 王德武 应纯同

考虑溅射损失的RF共振法离子引出和收集

谢国锋, 王德武, 应纯同
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出版历程
  • 收稿日期:  2004-08-18
  • 修回日期:  2004-09-13
  • 刊出日期:  2005-05-10

考虑溅射损失的RF共振法离子引出和收集

  • 1. 清华大学工程物理系,北京 100084

摘要: 采用PIC-MCC方法研究了AVLIS工程中一维RF共振法离子引出和收集过程,重点研究离子在收 集板上造成的溅射损失以及离子的收集效率.模拟结果表明,RF共振法与平行板静电场法相 比,引出时间较短,碰撞损失和溅射损失较低,收集率较高;增加引出电压,可以缩短引出 时间,降低碰撞损失,但是增加了溅射损失,使得收集率降低;增大磁场强度,使碰撞损失 降低,溅射损失增加,收集率降低.

English Abstract

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