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非晶硅太阳电池光照J-V特性的AMPS模拟

夏朝凤 许 玲 廖显伯 刁宏伟 曾湘波 郝会颖 孔光临 胡志华

非晶硅太阳电池光照J-V特性的AMPS模拟

夏朝凤, 许 玲, 廖显伯, 刁宏伟, 曾湘波, 郝会颖, 孔光临, 胡志华
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出版历程
  • 收稿日期:  2004-08-11
  • 修回日期:  2004-09-23
  • 刊出日期:  2005-05-10

非晶硅太阳电池光照J-V特性的AMPS模拟

  • 1. (1)云南师范大学能源与环境科学学院,昆明 650092; (2)中国科学院半导体研究所,北京 100083; (3)中国科学院半导体研究所,北京 100083;云南师范大学能源与环境科学学院,昆明 650092
    基金项目: 

    国家重大基础研究计划(973)项目(批准号:G2000028201)资助的课题.

摘要: 运用AMPS(Analysis of Microelectronic and Photonic Structures)模拟分析了TCO/p_a_SiC:H/i_a_Si:H/n_a_Si:H/metal结构的异质结非晶硅太阳电池中的p/i界面的价带失配以及TCO/p,n/metal界面接触势垒对电池光电特性的影响.分析总结了非晶硅基薄膜太阳电池中J-V曲线异常拐弯现象的种类和可能原因.

English Abstract

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