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四角对称晶场中4B1(3d3)态离子的磁相互作用及其自旋哈密顿参量研究

郝 跃 杨子元

四角对称晶场中4B1(3d3)态离子的磁相互作用及其自旋哈密顿参量研究

郝 跃, 杨子元
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出版历程
  • 收稿日期:  2004-10-22
  • 修回日期:  2004-11-29
  • 刊出日期:  2005-06-08

四角对称晶场中4B1(3d3)态离子的磁相互作用及其自旋哈密顿参量研究

  • 1. (1)西安电子科技大学微电子所,西安 710071; (2)西安电子科技大学微电子所,西安 710071;宝鸡文理学院物理系,化学物理研究所,宝鸡 721007
    基金项目: 

    陕西省教育厅科学计划项目与宝鸡文理学院重点科研基金资助课题

摘要: 基于完全对角化方法,研究了4B1(3d3)态 离子在四角对称晶场中的磁相互作用,分析了自旋哈密顿参量(b02, g∥, g⊥ , Δg)的微观起源.结果表明 :在被考虑的大部分晶场区域,人们通常考虑的SO(spin-orbit)磁相互作用的贡献最为重要 ;然而,对于零场分裂参量b02而言,来自其他机理(包 括SS(spin-orbit),SOO(sp in-other-orbit),SO-SS-SOO)的贡献在大部分晶场区域超过了20%;在部分晶场区域,其 他机理的贡献甚至超过SO机理的贡献.详细地分析了Macfarlane 零场分裂参量b02 近似三阶微扰理论的收敛性,结果表明:该理论在大部分晶场区域收敛性较差.讨论了3d3态离子第一激发态2Eg分裂的微观起源.并利用 群论方法解 释了在C4v和C3v对称晶场中2Eg态分裂的不同机理.

English Abstract

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