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Si2+离子与氢原子碰撞电离过程的CTMC计算

何 斌 宁 烨 颜 君 王建国 刘春雷

Si2+离子与氢原子碰撞电离过程的CTMC计算

何 斌, 宁 烨, 颜 君, 王建国, 刘春雷
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出版历程
  • 收稿日期:  2004-10-14
  • 修回日期:  2004-11-29
  • 刊出日期:  2005-07-07

Si2+离子与氢原子碰撞电离过程的CTMC计算

  • 1. (1)北京应用物理与计算数学研究所计算物理实验室,北京 100088; (2)北京应用物理与计算数学研究所计算物理实验室,北京 100088;中国工程物理研究院研究生院,北京 100088
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:10344001和10174009)资助的课题.

摘要: 应用经典径迹蒙特卡罗方法研究Si2+离子与氢原子碰撞电离反应过程.计算了随 入射离子能量变化的总截面、出射电子随角度和能量变化的一阶、二阶微分截面,及出射电子随 入射离子能量变化的平均能量.根据计算结果,讨论展示了软碰撞、电子转移到入射离子连 续态、两体相遇碰撞等电离机理,阐明了它们对碰撞总截面、微分截面、电离电子能量的影 响.通过计算出射电子到入射离子和靶的距离比的电离电子数分布研究了不同入射离子能量 “鞍点”电离机理的可能性.

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