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用触针下分布电阻的光电导相位法测量半导体中非平衡载流子寿命

洪坚

用触针下分布电阻的光电导相位法测量半导体中非平衡载流子寿命

洪坚
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出版历程
  • 收稿日期:  1965-09-01
  • 刊出日期:  1966-02-05

用触针下分布电阻的光电导相位法测量半导体中非平衡载流子寿命

摘要: 本文提出一种测量半导体中非平衡载流子寿命的新方法。这方法是测量触针下分布电阻的光电导相位移,在不同的表面情况和不同的激发光光谱成分下,导得各种结果表达式,文中对通常所使用的测量条件即粗磨表面和长波激发条件给出数值计算的结果。同时,对这些结果进行较为详细的分析和讨论,这个方法具有一系列的优点。例如:1)可以在锭状晶体上测量;2)表面处理十分简单;3)在样品上不需制作固定电极;4)测量仪器简单,操作方便;5)有一定准确度。这个方法可以检验不均匀材料,可供科研机关作研究用,更适合于工厂检验单晶材料用。用这方法在锗和硅样品上进行测量,测得寿命值基本上与其它方法的结果一致。

English Abstract

参考文献 (1)

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