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Spindt型与薄膜场致发射的数值模拟与特性比较

刘筠乔 詹杰民

Spindt型与薄膜场致发射的数值模拟与特性比较

刘筠乔, 詹杰民
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出版历程
  • 收稿日期:  2004-08-04
  • 修回日期:  2004-11-12
  • 刊出日期:  2005-07-07

Spindt型与薄膜场致发射的数值模拟与特性比较

  • 1. 中山大学应用力学与工程系,广州 510275
    基金项目: 

    国家自然科学基金重点项目(批准号:90306016)资助的课题

摘要: 采用质点网格法(particle-in-cell),利用MAGIC软件模拟了场致发射的物理过程.对两 种典型的场致发射模型(Spindt阴极发射体和金刚石薄膜发射体)分别进行了模拟.对Spind t阴极发射,研究了发射特性与尖端尺寸,尖端与栅极面的相对高度的关系.对金刚石薄膜发 射,比较了三极管和四极管的发射特性,以及薄膜面积对发射特性的影响,得出金刚石薄膜 发射体优于Spindt发射体的特性.

English Abstract

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