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高In组分InxGa1-xN/GaN多量子阱材料电致荧光谱的研究

邵嘉平 胡 卉 郭文平 汪 莱 罗 毅 孙长征 郝智彪

高In组分InxGa1-xN/GaN多量子阱材料电致荧光谱的研究

邵嘉平, 胡 卉, 郭文平, 汪 莱, 罗 毅, 孙长征, 郝智彪
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出版历程
  • 收稿日期:  2003-10-08
  • 修回日期:  2004-12-30
  • 刊出日期:  2005-04-05

高In组分InxGa1-xN/GaN多量子阱材料电致荧光谱的研究

  • 1. 清华大学电子工程系,集成光电子学国家重点实验室,北京 100084
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展规划(批准号: TG2000036601)、国家高技术研究发展计划(批准号: 2001AA312190,2002AA31119Z)和国家自然科学基金(批准号: 60244001)资助的课题

摘要: 研究了高In组分InxGa1-xN/GaN(x≈30%)多量子阱(MQWs)结构 发光二极管样品在不同注入电流下的电致荧光(EL)谱及反常的双峰现象.结果表明:有源区 内建电场在外界电流注入条件下逐渐受屏蔽,这一效应在高In组分InxGa1 -xN/GaN MQWs材料的发光复合机理中占有重要地位.

English Abstract

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