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纳秒脉冲下高能量快电子逃逸过程的计算

孙广生 严 萍 张适昌 邵 涛 谷 琛

纳秒脉冲下高能量快电子逃逸过程的计算

孙广生, 严 萍, 张适昌, 邵 涛, 谷 琛
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出版历程
  • 收稿日期:  2006-01-19
  • 修回日期:  2006-02-13
  • 刊出日期:  2006-11-20

纳秒脉冲下高能量快电子逃逸过程的计算

  • 1. (1)中国科学院电工研究所,北京 100080; (2)中国科学院电工研究所,北京 100080;中国科学院研究生院,北京 100049
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:50437020,50207011)资助的课题.

摘要: 基于快电子的逃逸击穿机理将是一种能解释纳秒脉冲高过电压倍数下气体放电现象的理论,对高能量快电子的逃逸运动、碰撞电离引导电子崩的发展等进行了分析,并根据电子能量与阻力关系式,对电子的俘获或逃逸过程进行了计算.结果表明外加场强越高,更多的电子能逃逸,逃逸的能量阈值越低,气压对电子的逃逸过程影响也较大.同时也定性描述了纳秒脉冲下逃逸击穿放电过程.

English Abstract

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