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AlGaN/GaN异质结Ni/Au肖特基表面处理及退火研究

王 冲 冯 倩 郝 跃 万 辉

AlGaN/GaN异质结Ni/Au肖特基表面处理及退火研究

王 冲, 冯 倩, 郝 跃, 万 辉
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出版历程
  • 收稿日期:  2006-02-17
  • 修回日期:  2006-02-28
  • 刊出日期:  2006-11-20

AlGaN/GaN异质结Ni/Au肖特基表面处理及退火研究

  • 1. 西安电子科技大学微电子研究所,西安 710071;宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安 710071
    基金项目: 

    重大科技预研项目(批准号:41308060106),国家重点基础研究发展计划(973计划)(批准号:2002CB3119)资助的课题.

摘要: 采用O2等离子体及HF溶液对AlGaN/GaN异质结材料进行表面处理后,Ni/Au肖特基接触特性比未处理有了明显改善,反向泄漏电流减小3个数量级.对制备的肖特基接触进行200—600℃ 5min的N2气氛退火,发现退火冷却后肖特基反向泄漏电流随退火温度增大进一步减小.N2气中600℃退火后肖特基二极管C-V特性曲线在不同频率下一致性变好,这表明退火中Ni向材料表面扩散减小了表面陷阱密度;C-V特性曲线随退火温度增大向右移动,从二维电子气耗尽电压绝对值减小反映了肖特基势垒的提高.

English Abstract

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