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相变域硅薄膜材料的光稳定性

王 岩 任慧志 侯国付 郭群超 朱 锋 张德坤 孙 建 薛俊明 赵 颖 耿新华 韩晓艳

相变域硅薄膜材料的光稳定性

王 岩, 任慧志, 侯国付, 郭群超, 朱 锋, 张德坤, 孙 建, 薛俊明, 赵 颖, 耿新华, 韩晓艳
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出版历程
  • 收稿日期:  2005-04-28
  • 修回日期:  2005-06-06
  • 刊出日期:  2006-01-05

相变域硅薄膜材料的光稳定性

  • 1. (1)南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,光电信息技术科学教育部重点实验室,光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,天津 300071; (2)南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,光电信息技术科学教育部重点实验室,光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,天津 300071;河北工业大学材料科学与工程学院,天津 300130
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展规划(批准号:G2000028202,G2000028203)、科技部国际合作项目(批准号:2002DFG0051)、天津市国际合作项目(批准号:023100711)和天津市科技攻关项目(批准号:043186511)资助的课题.

摘要: 采用RF-PECVD技术,通过改变反应气体的硅烷浓度制备了一系列不同晶化率不掺杂的硅薄膜材料,研究了工艺变化对材料结构的影响及材料光电特性同微结构的关系.随后进行了光衰退试验,在分析光照前后光电特性变化规律的基础上,认为材料中的非晶成分是导致材料光电特性衰退的主要原因.在靠近过渡区非晶一侧的硅材料比普通非晶硅稳定,衰退率较少;高晶化率微晶硅材料性能稳定,基本不存在光衰退;在靠近过渡区微晶一侧的硅材料虽然不是完全不衰退,但相比高晶化率硅材料来说更适合制备高效微晶硅电池.

English Abstract

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