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发光二极管可靠性的噪声表征

胡 瑾 杜 磊 周 江 庄奕琪 包军林

发光二极管可靠性的噪声表征

胡 瑾, 杜 磊, 周 江, 庄奕琪, 包军林
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出版历程
  • 收稿日期:  2005-12-09
  • 修回日期:  2005-12-18
  • 刊出日期:  2006-03-20

发光二极管可靠性的噪声表征

  • 1. (1)西安电子科技大学技术物理学院,西安 710071; (2)西安电子科技大学微电子学院,西安 710071
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:60276028),国防预研基金(批准号:51411040601DZ014)与国防 科技重点实验室基金(批准号:51433030103DZ01)资助的课题.

摘要: 通过对发光二极管内部结构的研究,发现Nt(界面态陷阱密度)和扩散电流比率 是影响发光二极管性能的重要因素,并与器件可靠性有密切关系.器件内部存在的多种噪声 中,低频1/f噪声可表征Nt和扩散电流比率.在深入研究发光二极管工作原理及1 /f噪声载流子数涨落理论和迁移率涨落理论的基础上,建立了发光二极管的电性能模型及1/ f噪声模型.在输入电流宽范围变化的条件下测量了器件的电学噪声,实验结果与理论模型符 合良好.通过对其测量结果分析,深入研究了噪声和发光二极管性能与可靠性的关系,证明 了噪声幅值越大,电流指数越接近于2,器件可靠性越差,失效率则显著增大.

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