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SrBi4Ti4O15铁电薄膜的制备工艺及薄膜生长机理 研究

崔彩娥 黄 平 徐廷献

SrBi4Ti4O15铁电薄膜的制备工艺及薄膜生长机理 研究

崔彩娥, 黄 平, 徐廷献
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出版历程
  • 收稿日期:  2005-05-26
  • 修回日期:  2005-07-26
  • 刊出日期:  2006-03-20

SrBi4Ti4O15铁电薄膜的制备工艺及薄膜生长机理 研究

  • 1. (1)太原理工大学理学院,太原 030024; (2)太原理工大学理学院,太原 030024;天津大学材料学院,先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室,天津 300072; (3)天津大学材料学院,先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室,天津 300072
    基金项目: 

    国家自然科学基金重大项目(批准号:59995520)Nippon Sheet Glass Foundation for Mate rials Science and Engineering(301-05544)资助的课题.

摘要: 以氯化锶,硝酸铋和钛酸丁酯为原料,柠檬酸为络合剂,乙二醇为交联剂,无水乙醇为钛酸 丁酯的溶剂,盐酸为硝酸铋的溶剂,去离子水为氯化锶的溶剂,配制了稳定的SrBi4Ti4O15(SBTi)前驱液.采用溶胶凝胶工艺,在Pt/Ti/SiO2 /Si基片上制备了a轴取向增强的SBTi铁电薄膜.研究了一次性晶化快速退火工艺、两 层晶化快速退火工艺、逐层晶化快速退火工艺以及成膜次数对薄膜结晶性、微观结构和生长 行为的影响.实验结果表明,逐层快速退火工艺可有效抑制焦绿石相的形成;随着涂覆次数 的增加,薄膜的结晶性变好;由于SBTi晶体生长的各向异性及单层膜厚对晶体沿(119)方向 生长的限制,随着涂覆次数的增加,SBTi薄膜(119)峰和(200)峰的强度逐渐增大,而(00l) 峰的强度反而略有减小,从而使I(200)/I(119),I(200)/I(0010),I(119)/I(0010)逐渐增 大.

English Abstract

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