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Si基铁电Bi3.15Nd0.85Ti3O12多层薄膜的一致取向生长和性能的研究

李少珍 徐文广 魏建华 李美亚 赵兴中

Si基铁电Bi3.15Nd0.85Ti3O12多层薄膜的一致取向生长和性能的研究

李少珍, 徐文广, 魏建华, 李美亚, 赵兴中
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出版历程
  • 收稿日期:  2005-07-03
  • 修回日期:  2005-09-11
  • 刊出日期:  2006-03-20

Si基铁电Bi3.15Nd0.85Ti3O12多层薄膜的一致取向生长和性能的研究

  • 1. (1)武汉大学物理科学与技术学院,武汉 430072; (2)武汉大学物理科学与技术学院,武汉 430072;武汉大学纳米科学与技术研究中心,武汉 430072
    基金项目: 

    湖北省自然科学基金(批准号:2004ABA082)资助的课题.

摘要: 采用脉冲激光沉积(PLD)技术,利用LSCO/CeO2/YSZ多异质缓冲层,在Si(100)基 片上成功地制备了c轴一致取向的Bi3.15Nd0.85Ti3O12(BNT)铁电薄膜.利用X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)分析测定了薄膜的相结构 、取向和形貌特征,考察了沉积温度和氧分压对BNT薄膜微结构、取向和形貌的影响,确定 了BNT薄膜的最佳沉积条件.对在优化的条件下制备得到的BNT薄膜的C-V曲线测试得到了典型 的蝴蝶形曲线,表明该薄膜具有较好的电极化反转存储特性.最后讨论了BNT薄膜铁电性能与 薄膜取向的相关性.

English Abstract

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