搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

脉冲激发三能级体系半导体量子点的单光子发射效率

李耀义 程木田 周慧君 刘绍鼎 王取泉 薛其坤

脉冲激发三能级体系半导体量子点的单光子发射效率

李耀义, 程木田, 周慧君, 刘绍鼎, 王取泉, 薛其坤
PDF
导出引用
计量
  • 文章访问数:  4197
  • PDF下载量:  1571
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2005-08-26
  • 修回日期:  2005-11-29
  • 刊出日期:  2006-02-05

脉冲激发三能级体系半导体量子点的单光子发射效率

  • 1. (1)武汉大学物理系,武汉 430072; (2)武汉大学物理系,武汉 430072;中国科学院物理研究所表面物理国家重点实验室,北京 100080; (3)中国科学院物理研究所表面物理国家重点实验室,北京 100080
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:10534030,10474075)资助的课题.

摘要: 研究了脉冲激发下单个半导体量子点中单光子发射的统计特性.在旋转波近似条件下,由系统粒子数演化主方程并结合量子回归理论推导了二阶相关函数的运动方程,利用此方程讨论了二阶相关函数随输入脉冲面积的关系.在窄脉冲宽度的脉冲激发下,单光子的发射概率p和效率η都随着强度的增强而产生振荡.研究表明,采用窄脉冲宽度,当输入脉冲面积在π附近时可以得到较高的单光子发射效率.

English Abstract

目录

    /

    返回文章
    返回