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Cd1-xZnxTe晶体的In气氛扩散热处理研究

李万万 孙 康

Cd1-xZnxTe晶体的In气氛扩散热处理研究

李万万, 孙 康
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出版历程
  • 收稿日期:  2005-08-15
  • 修回日期:  2005-12-21
  • 刊出日期:  2006-02-05

Cd1-xZnxTe晶体的In气氛扩散热处理研究

  • 1. 上海交通大学复合材料研究所,上海 200030

摘要: 为了满足辐射探测器件的需要,将生长得到的Cd1-xZnxTe晶体在In 气氛下进行退火处理能有效提高晶体的电阻率等性能. 退火处理过程的实质是一个扩散过程 ,因此研究扩散系数与Cd1-xZnxTe晶体的性能特别是电阻率变化之 间的关系具有重要的意义. 建立了退火处理过程中Cd1-xZnxTe晶体 材料电阻率及导电类型变化与杂质的扩散系数之间关系的模型.结合实验数据,获得了10

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