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光照和偏压对微晶硅薄膜室温电导的影响

余云鹏 林璇英 林舜辉 黄 锐

光照和偏压对微晶硅薄膜室温电导的影响

余云鹏, 林璇英, 林舜辉, 黄 锐
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出版历程
  • 收稿日期:  2005-06-21
  • 修回日期:  2005-11-07
  • 刊出日期:  2006-04-20

光照和偏压对微晶硅薄膜室温电导的影响

  • 1. 汕头大学物理系,汕头 515063
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展规划(批准号:G2000028208)资助的课题.

摘要: 报道了SiCl4/H2等离子体化学气相沉积方法制备的未掺杂微晶硅薄 膜,在短时间光照或加上直流偏压后其室温暗电导随时间缓慢变化的行为. Raman散射谱结 果表明,薄膜的晶态体积比大于70%. 暗电阻的实验结果显示: 材料具有弱的持久光电导效 应;薄膜的暗电导在外加直流电场的作用下缓慢上升,电场反向后出现暗电导的恢复过程, 而且暗电导变化速度与偏压大小和温度有关. 根据异质结势垒模型,指出外加条件下载流子 的空间分离和重新分布以及材料非均匀性造成的势垒是引起电导

English Abstract

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