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磁控溅射方法制备垂直取向FePt/BN颗粒膜

冯 春 杨 涛 滕 蛟 于广华 朱逢吾 李宝河 翟中海

磁控溅射方法制备垂直取向FePt/BN颗粒膜

冯 春, 杨 涛, 滕 蛟, 于广华, 朱逢吾, 李宝河, 翟中海
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出版历程
  • 收稿日期:  2005-10-25
  • 修回日期:  2005-11-22
  • 刊出日期:  2006-05-20

磁控溅射方法制备垂直取向FePt/BN颗粒膜

  • 1. (1)北京科技大学材料物理系,北京 100083; (2)北京科技大学材料物理系,北京 100083;北京工商大学数理部,北京 100037; (3)北京科技大学材料物理系,北京 100083;沈阳建筑大学理学院,沈阳 110168
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:50571007)和北京市教育委员会科技发展计划项目(批准号:KM200610011005)资助的课题.

摘要: 用磁控溅射在热单晶MgO(100)基片上制备了[FePt/BN]多层膜,经真空热处理后,得到具有垂直取向L10-FePt/BN颗粒膜.X射线衍射结果和磁性测量的结果表明,[FePt(2nm)/BN(0.5nm)]10和[FePt(1nm)/BN(0.25nm)]20多层膜经700℃热处理1h后,均具有较好的(001)取向.[FePt(1nm)/BN(0.25nm)]20垂直矫顽力达到522kA/m,剩磁比达到0.99,开关场分布S达到0.94,FePt晶粒平均尺寸约15—20nm,适合用于将来超高密度的垂直磁记录介质.

English Abstract

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