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二氧化钒薄膜的低温制备及其性能研究

王利霞 李建平 何秀丽 高晓光

二氧化钒薄膜的低温制备及其性能研究

王利霞, 李建平, 何秀丽, 高晓光
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出版历程
  • 收稿日期:  2005-07-29
  • 修回日期:  2005-12-09
  • 刊出日期:  2006-06-20

二氧化钒薄膜的低温制备及其性能研究

  • 1. 中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室,北京 100080

摘要: 针对VO2薄膜在微测辐射热计上的应用,采用射频反应溅射法,在室温下制备氧化钒薄膜;研究了氧分压对薄膜沉积速率、电学性质及成分的影响.通过调节氧分压,先获得成分接近VO2的非晶化薄膜,再在400℃空气中氧化退火,便可制得高电阻温度系数,低电阻率的VO2薄膜,电阻温度系数约为-4%/℃,薄膜方块电阻为R□为100—300kΩ;薄膜在室温下沉积,400℃下退火的制备方法与微机电加工(micro electromechanic

English Abstract

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