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Si基Bi3.25La0.75Ti3O12铁电薄膜的制备与特性研究

王 华 任鸣放

Si基Bi3.25La0.75Ti3O12铁电薄膜的制备与特性研究

王 华, 任鸣放
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出版历程
  • 收稿日期:  2005-09-28
  • 修回日期:  2005-11-17
  • 刊出日期:  2006-06-20

Si基Bi3.25La0.75Ti3O12铁电薄膜的制备与特性研究

  • 1. 桂林电子科技大学信息材料科学与工程系,桂林 541004
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:50262001)资助的课题.

摘要: 采用Sol-Gel工艺低温制备了Si基Bi3.25La0.75Ti3O12铁电薄膜.研究了退火温度对薄膜微观结构、介电特性与铁电性能的影响.500℃退火处理的Bi3.25La0.75Ti3O12薄膜未能充分晶化,晶粒细小且有非晶团聚,介电与铁电性能均较差.高于550℃退火处理的Bi3.25La0.75

English Abstract

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