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β-Si3N4电子结构和光学性质的第一性原理研究

潘洪哲 周海平 祝文军 徐 明

β-Si3N4电子结构和光学性质的第一性原理研究

潘洪哲, 周海平, 祝文军, 徐 明
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出版历程
  • 收稿日期:  2005-11-25
  • 修回日期:  2006-01-17
  • 刊出日期:  2006-07-20

β-Si3N4电子结构和光学性质的第一性原理研究

  • 1. (1)四川师范大学物理与电子工程学院固体物理研究所,成都 610068; (2)四川师范大学物理与电子工程学院固体物理研究所,成都 610068;中国工程物理研究院流体物理研究所冲击波物理与爆轰物理重点实验室,绵阳 621900; (3)四川师范大学物理与电子工程学院固体物理研究所,成都 610068;重庆邮电学院光电工程学院,重庆 400065
    基金项目: 

    四川省教育厅重点基金项目(批准号:2005A092)和四川师范大学重点研究项目(批准号:037003)资助的课题.

摘要: 采用基于密度泛函的平面波赝势方法(PWP)和广义梯度近似(GGA),计算了β相氮化硅(β-Si3N4)的电子结构和光学性质,得到的晶格常数、能带结构等均与实验结果较好符合.进一步还研究了β-Si3N4的光吸收系数以及禁带宽度随外压力的变化规律,为β-Si3N4材料在高压条件下的应用提供了理论参考.

English Abstract

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