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He离子注入ZnO中缺陷形成的慢正电子束研究

陈志权 河裾厚男

He离子注入ZnO中缺陷形成的慢正电子束研究

陈志权, 河裾厚男
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出版历程
  • 收稿日期:  2006-01-24
  • 修回日期:  2006-04-13
  • 刊出日期:  2006-04-05

He离子注入ZnO中缺陷形成的慢正电子束研究

  • 1. (1)日本原子力研究所,日本群马 370-1292; (2)武汉大学物理系,武汉 430072
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:10375043,10075037)资助的课题.

摘要: 在ZnO单晶样品中注入了能量为20—100keV、总剂量为4.4×1015cm-2的He离子.利用基于慢正电子束的多普勒展宽测量研究了离子注入产生的缺陷.结果表明,He离子注入ZnO产生了双空位或更大的空位团.在400℃以下退火后,He开始填充到这些空位团里面,造成空位团的有效体积减少.经过400℃以上升温退火后,这些空位团的尺寸开始增大,但由于有少量的He仍然占据在空位团内,因此直到800℃这些空位团仍保持稳定.高于800℃退火后,由于He的脱附,留下的空位团

English Abstract

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