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具有高阻抗本征SnO2过渡层的CdS/CdTe多晶薄膜太阳电池

曾广根 郑家贵 黎 兵 雷 智 武莉莉 蔡亚平 李 卫 张静全 蔡 伟 冯良桓

具有高阻抗本征SnO2过渡层的CdS/CdTe多晶薄膜太阳电池

曾广根, 郑家贵, 黎 兵, 雷 智, 武莉莉, 蔡亚平, 李 卫, 张静全, 蔡 伟, 冯良桓
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出版历程
  • 收稿日期:  2005-12-05
  • 修回日期:  2006-02-22
  • 刊出日期:  2006-09-20

具有高阻抗本征SnO2过渡层的CdS/CdTe多晶薄膜太阳电池

  • 1. 四川大学材料科学与工程学院,成都 610064
    基金项目: 

    国家高技术研究发展计划(批准号:2001AA513010)和博士点基金(批准号:20050610024)资助的课题.

摘要: 采用超声喷雾热解法制备了具有高阻抗的本征SnO2透明导电膜,将其运用在CdS层减薄了的CdS/CdTe多晶薄膜太阳电池中,对减薄后的CdS薄膜进行了XRD,AFM图谱分析,并对电池进行了光、暗I-V,光谱响应和C-V测试.结果表明,在高阻膜上沉积的减薄CdS薄膜(111)取向更明显,但易形成微孔.引入高阻层后,能消除CdS微孔形成的微小漏电通道,有效保护p-n结,改善了电池的并联电阻、填充因子和短波响应,使载流子浓度增加,暗饱和电流密度减小,从而电池性能得到改善,电池转换效率增加了14.4%.

English Abstract

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