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铁电钾钠铌酸锶钡薄膜电光性能的研究

康祥喆 叶 辉

铁电钾钠铌酸锶钡薄膜电光性能的研究

康祥喆, 叶 辉
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出版历程
  • 收稿日期:  2006-02-21
  • 修回日期:  2006-03-27
  • 刊出日期:  2006-09-20

铁电钾钠铌酸锶钡薄膜电光性能的研究

  • 1. 浙江大学现代光学仪器国家重点实验室,杭州 310027
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:60578012)和浙江省自然科学基金(批准号:x405002)资助的课题.

摘要: 采用溶胶-凝胶法在氧化镁单晶衬底上制备了符合化学计量比的完全填充型铁电钾钠铌酸锶钡(KNSBN)薄膜,通过X射线衍射,摇摆曲线,X射线Φ扫描,扫描电子显微镜等方法研究了薄膜的微结构,采用Adachi法研究了薄膜的电光特性. 实验发现,KNSBN薄膜在氧化镁(001)单晶衬底上沿c轴外延生长,K+,Na+的引入有效地提高了薄膜的横向电光系数r51. 成分为K0.2Na0.2Sr0.24Ba0.56Nb2O6, K0.2Na0.2Sr0.6Ba0.2Nb2O6, K0.2Na0.2Sr0.72Ba0.08Nb2O6的三种KNSBN薄膜的r51值分别为108.52pm/V, 119.98pm/V, 126.96pm/V,r51的数值随Sr2+含量增加而增大.

English Abstract

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