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利用原子芯片上Z形磁阱囚禁中性87Rb原子

唐九耀 李晓林 柯 敏 颜 波 王育竹

利用原子芯片上Z形磁阱囚禁中性87Rb原子

唐九耀, 李晓林, 柯 敏, 颜 波, 王育竹
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出版历程
  • 收稿日期:  2007-01-24
  • 修回日期:  2007-04-16
  • 刊出日期:  2007-11-20

利用原子芯片上Z形磁阱囚禁中性87Rb原子

  • 1. (1)浙江大学物理系,杭州 310027; (2)中国科学院上海光学精密机械研究所量子光学重点实验室,上海 201800;中国科学院冷原子物理中心,上海 201800
    基金项目: 

    国家自然科学基金 (批准号10334050和10474105) 和国家重点基础研究发展规划(973)项目(批准号:2006CB921202)资助的课题.

摘要: 利用解析和数值方法计算了Z形磁阱的囚禁势,发现当囚禁中心和芯片表面距离较远时(该距离和Z形线中部导线的一半长度相差不超过一个量级),势阱的深度不能近似表示成偏置磁场By对应的能量,而要减去囚禁中心的势能高度;而增加By进行磁阱压缩到一定值时,势阱深度反而会下降.此外介绍了原子芯片的制作方法,以及利用原子芯片上Z形磁阱囚禁中性87Rb原子的实验装置和实验过程.最终有2×106个87Rb原子被转移到Z形磁阱中.

English Abstract

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