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Cd0.9Zn0.1Te晶体的Cd气氛扩散热处理研究

李万万 孙 康

Cd0.9Zn0.1Te晶体的Cd气氛扩散热处理研究

李万万, 孙 康
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出版历程
  • 收稿日期:  2006-08-17
  • 修回日期:  2007-04-06
  • 刊出日期:  2007-11-20

Cd0.9Zn0.1Te晶体的Cd气氛扩散热处理研究

  • 1. 上海交通大学金属基复合材料国家重点实验室,上海 200030

摘要: 将生长得到的Cd0.9Zn0.1Te晶体在Cd气氛下及不同的温度条件下进行了退火处理. 借助已建立的退火处理过程中Cd1-xZnxTe晶体材料电阻率及导电类型变化和扩散杂质的扩散系数之间关系的模型,结合实验数据,获得了1073K,973K和873K下Cd在Cd0.9Zn0.1Te晶体中的扩散系数,并估算了其激活能. 通过使用获得的扩散系数,研究了在不同温度及饱和Cd气氛下,退火时间对Cd0.9Zn0.1Te晶体电阻率分布及导电类型等的变化的影响.

English Abstract

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