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化学气相沉积法中SnO2一维纳米结构的控制生长

曾春来 唐东升 刘星辉 海 阔 羊 亿 袁华军 解思深

化学气相沉积法中SnO2一维纳米结构的控制生长

曾春来, 唐东升, 刘星辉, 海 阔, 羊 亿, 袁华军, 解思深
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出版历程
  • 收稿日期:  2006-08-25
  • 修回日期:  2007-04-03
  • 刊出日期:  2007-11-20

化学气相沉积法中SnO2一维纳米结构的控制生长

  • 1. (1)量子结构与调控教育部重点实验室,湖南师范大学物理与信息科学学院,长沙 410081; (2)中国科学院物理研究所,北京 100080
    基金项目: 

    国家自然科学基金重大研究计划(批准号:90606010) 、湖南省教育厅青年项目(批准号:05B040)资助的课题.

摘要: 以Sn和SnO为源材料,化学气相沉积法中通过控制反应物配比及载气中的氧含量等宏观实验条件,实现了SnO2一维纳米结构的控制生长,成功获得各种不同横向尺度的SnO2纳米线、纳米带以及直径连续变化的针状纳米结构. 通过扫描电子显微镜、X射线衍射仪对不同实验条件下所制备的样品进行形貌和晶格结构表征,认为高温生长点附近锡与氧的相对含量是控制SnO2一维纳米结构生长的关键因素;并在此基础上对SnO2一维纳米结构的生长机理进行了深入的讨论.

English Abstract

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