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锆离子注入锆-4合金缺陷的慢正电子研究

王宝义 于润升 魏 龙 郝小鹏

锆离子注入锆-4合金缺陷的慢正电子研究

王宝义, 于润升, 魏 龙, 郝小鹏
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出版历程
  • 收稿日期:  2006-10-30
  • 修回日期:  2007-04-06
  • 刊出日期:  2007-11-20

锆离子注入锆-4合金缺陷的慢正电子研究

  • 1. (1)中国科学院高能物理研究所核分析技术重点实验室,北京 100049; (2)中国科学院高能物理研究所核分析技术重点实验室,北京 100049;中国科学院研究生院,北京 100049
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:10275076,10275077,10475096)资助的课题.

摘要: 采用慢正电子束多普勒展宽谱研究了Zr离子注入Zr-4合金产生的缺陷及其退火回复行为,发现经过大于离子注入剂量为1×1016cm-2的样品所产生的缺陷在注入过程中已经回复,而对剂量为1×1015cm-2样品做300℃退火处理,其缺陷基本回复,得出合金缺陷回复能较低的结论. 考虑到材料的缺陷含量越高,其抗腐蚀性能越差,在辐照环境下通过给材料保持一定温度,即可使其缺陷得到较好回复,从而提高材料的抗腐蚀性能.

English Abstract

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