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重掺B对应变SiGe材料能带结构的影响

姚 飞 薛春来 成步文 王启明

重掺B对应变SiGe材料能带结构的影响

姚 飞, 薛春来, 成步文, 王启明
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出版历程
  • 收稿日期:  2007-02-21
  • 修回日期:  2007-03-21
  • 刊出日期:  2007-11-20

重掺B对应变SiGe材料能带结构的影响

  • 1. 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室,北京 100083
    基金项目: 

    国家高技术研究发展计划(批准号:2006AA03Z415),国家重点基础研究发展规划(批准号:2006CB302802和2007CB613404)和国家自然科学基金(批准号:60336010,60676005)资助的课题.

摘要: 硅锗异质结双极晶体管(SiGe HBT)一般以重掺硼(B)的应变SiGe层作为基区.精确表征SiGe材料能带结构对SiGe HBT的设计具有重要的意义.在应变SiGe材料中,B的重掺杂一方面会因为重掺杂效应使带隙收缩,另一方面,B的引入还会部分补偿Ge引起的应变,从而改变应变引起的带隙变化.在重掺B的应变SiGe能带结构研究中,采用半经验方法,考虑了B的应变补偿作用对能带的影响,对Jain-Roulston模型进行修正,并分析了重掺杂引起的带隙收缩在导带和价带的分布.

English Abstract

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