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基片温度与氧分压对磁控溅射制备氧化钒薄膜的影响

张 辉 刘应书 刘文海 王宝义 魏 龙

基片温度与氧分压对磁控溅射制备氧化钒薄膜的影响

张 辉, 刘应书, 刘文海, 王宝义, 魏 龙
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出版历程
  • 收稿日期:  2007-03-18
  • 修回日期:  2007-07-05
  • 刊出日期:  2007-06-05

基片温度与氧分压对磁控溅射制备氧化钒薄膜的影响

  • 1. 
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:10275077)资助的课题.

摘要: 采用磁控溅射工艺制备了V2O5薄膜.通过改变制备工艺中基片温度和氧分压两个条件,研究了薄膜的晶相组成、表观形貌以及氧化物中钒和氧元素的化合价态.当基片温度升高时,V2O5薄膜中颗粒结晶由细长针状转变为平行于基片的片状,V5+状态保持不变,但723 K时氧结合能向高键能态移动.氧分压较低时,薄膜表面有部分V4+态存在,但存在较多的高键能氧,此时薄膜中晶粒尺寸较小.随着氧分压的提

English Abstract

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