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感应耦合等离子体刻蚀InP/InGaAsP二维光子晶体结构的研究

樊中朝 马小涛 郑婉华 任 刚 陈良惠

感应耦合等离子体刻蚀InP/InGaAsP二维光子晶体结构的研究

樊中朝, 马小涛, 郑婉华, 任 刚, 陈良惠
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出版历程
  • 收稿日期:  2006-05-31
  • 修回日期:  2006-07-04
  • 刊出日期:  2007-01-05

感应耦合等离子体刻蚀InP/InGaAsP二维光子晶体结构的研究

  • 1. (1)半导体集成技术工程研究中心,中国科学院半导体研究所,北京 100083; (2)纳米光电子实验室,中国科学院半导体研究所,北京 100083

摘要: 为实现基于InP/InGaAsP材料的二维光子晶体结构低损伤、高各向异性的干法刻蚀,研究了对InP材料基于Cl2/BCl3气体的感应耦合等离子体刻蚀. 从等离子体轰击使衬底升温的角度分析了刻蚀机理,发现离子轰击加热引起的侧蚀与物理溅射在侧壁再沉积之间处于平衡时可以得到高各向异性刻蚀,平衡点将随ICP功率增高而向偏压减小方向移动,从而在近203 V偏压下得到陡直的侧壁. 在优化气体组分后,成功实现了光子晶体结构高各向异性的低偏压刻蚀.

English Abstract

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