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横向随机晶场Ising模型的相图和磁化行为研究

许 玲 晏世雷

横向随机晶场Ising模型的相图和磁化行为研究

许 玲, 晏世雷
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  • 在有效场理论和切断近似框架内,选择自旋S=1的二维方格子,研究横向随机晶场Ising模型的相图和磁化行为,重点是横向随机晶场浓度和晶场比率对相图和磁化的影响.给出了i>T-Dx空间的相图和m-T空间的磁化图.在晶场稀疏情况下,负晶场方向存在临界温度的峰值,正方向可出现重入现象.晶场比率取+0.5和-0.5时,磁有序相范围缩小,特别是晶场比率取-0.5时,随晶场浓度的降低,临界温度峰值从横向晶场负方向渡越到正方向.固定某一负晶场值,不同晶场比率的磁化行为有明显差异.同时与纵向稀疏晶场Ising模型结果进行有意义的比较.
    • 基金项目: 江苏省高等学校自然科学重点基金(批准号:03KJA140117)和薄膜材料江苏省重点实验室开放基金(批准号:K2022)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2006-06-06
  • 修回日期:  2006-09-02
  • 刊出日期:  2007-07-11

横向随机晶场Ising模型的相图和磁化行为研究

  • 1. (1)苏州大学物理系,苏州 215006; (2)苏州大学物理系,苏州 215006;苏州大学薄膜材料江苏省重点实验室,苏州 215006
    基金项目: 

    江苏省高等学校自然科学重点基金(批准号:03KJA140117)和薄膜材料江苏省重点实验室开放基金(批准号:K2022)资助的课题.

摘要: 在有效场理论和切断近似框架内,选择自旋S=1的二维方格子,研究横向随机晶场Ising模型的相图和磁化行为,重点是横向随机晶场浓度和晶场比率对相图和磁化的影响.给出了i>T-Dx空间的相图和m-T空间的磁化图.在晶场稀疏情况下,负晶场方向存在临界温度的峰值,正方向可出现重入现象.晶场比率取+0.5和-0.5时,磁有序相范围缩小,特别是晶场比率取-0.5时,随晶场浓度的降低,临界温度峰值从横向晶场负方向渡越到正方向.固定某一负晶场值,不同晶场比率的磁化行为有明显差异.同时与纵向稀疏晶场Ising模型结果进行有意义的比较.

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