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中国物理学会期刊

含氮氟化类金刚石(FN-DLC)薄膜的研究:(Ⅱ)射频功率对薄膜光学带隙的影响

CSTR: 32037.14.aps.56.1809

Study on FN-DLC thin films: (Ⅱ) effect of radio frequency power on the optical band gap of the thin films

CSTR: 32037.14.aps.56.1809
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  • 以CF4,CH4和N2为源气体,采用射频等离子体增强化学气相沉积法,在不同射频功率下制备了含氮氟化类金刚石薄膜样品.原子力显微形貌显示,低功率下沉积样品表面致密均匀.拉曼及傅里叶变换红外光谱分析显示,随着射频功率的改变,薄膜的结构和组分也随之变化.紫外-可见光透射光谱证明薄膜具有紫外强吸收特性,通过计算得到其光学带隙在1.89—2.29 eV之间.结果表明,射频功率增加,薄膜内sp2C含量增加,或者说C=C交联相对浓度增加、F的相对浓度降低,导致薄膜内π-π*带边态密度增大,光学带隙减小.

     

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