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含氮氟化类金刚石(FN-DLC)薄膜的研究:(Ⅱ)射频功率对薄膜光学带隙的影响

王焕友 徐 慧 郭爱敏 肖剑荣

含氮氟化类金刚石(FN-DLC)薄膜的研究:(Ⅱ)射频功率对薄膜光学带隙的影响

王焕友, 徐 慧, 郭爱敏, 肖剑荣
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出版历程
  • 收稿日期:  2006-07-28
  • 修回日期:  2006-08-29
  • 刊出日期:  2007-03-20

含氮氟化类金刚石(FN-DLC)薄膜的研究:(Ⅱ)射频功率对薄膜光学带隙的影响

  • 1. (1)中南大学材料科学与工程学院,长沙 410083; (2)中南大学物理科学与技术学院,长沙 410083; (3)中南大学物理科学与技术学院,长沙 410083;中南大学材料科学与工程学院,长沙 410083

摘要: 以CF4,CH4和N2为源气体,采用射频等离子体增强化学气相沉积法,在不同射频功率下制备了含氮氟化类金刚石薄膜样品.原子力显微形貌显示,低功率下沉积样品表面致密均匀.拉曼及傅里叶变换红外光谱分析显示,随着射频功率的改变,薄膜的结构和组分也随之变化.紫外-可见光透射光谱证明薄膜具有紫外强吸收特性,通过计算得到其光学带隙在1.89—2.29 eV之间.结果表明,射频功率增加,薄膜内sp2C含量增加,或者说C=C交联相对浓度增加、F的相对浓度降低,导致薄膜内π-π*带边态密度增大,光学带隙减小.

English Abstract

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