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电场诱导聚合物分子取向对单线态和三线态激子形成截面的影响

刘 军 侯延冰 孙 鑫 师全民 李 妍 靳 辉 鲁 晶

电场诱导聚合物分子取向对单线态和三线态激子形成截面的影响

刘 军, 侯延冰, 孙 鑫, 师全民, 李 妍, 靳 辉, 鲁 晶
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出版历程
  • 收稿日期:  2006-06-27
  • 修回日期:  2006-10-13
  • 刊出日期:  2007-05-20

电场诱导聚合物分子取向对单线态和三线态激子形成截面的影响

  • 1. 发光与光信息技术教育部重点实验室,北京交通大学光电子技术研究所,北京 100044
    基金项目: 

    教育部跨世纪人才基金、教育部重点项目(批准号:105041),国家自然科学基金(批准号:90401006,10434030和90301004),973计划(批准号:2003CB314707)和华南理工大学特种功能材料及其制备新技术教育部重点实验室资助的课题.

摘要: 通过对聚乙烯咔唑(PVK) 掺杂三(2-苯基吡啶)铱(Ir(ppy)3)和4-二氰亚甲基-2-叔丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久咯呢定基-9-烯基)-4H-吡喃(DCJTB),PVK 掺杂DCJTB和PVK掺杂Ir(ppy)3聚合物在成膜时高压电场作用下分子取向变化对单线态和三线态激子形成截面的研究,发现,随着成膜时电场的增强,单线态激子的形成截面在增加,而三线态激子的形成截面却减小.

English Abstract

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