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新型全方位反射铝镓铟磷薄膜发光二极管

张剑铭 邹德恕 刘思南 徐 晨 沈光地

新型全方位反射铝镓铟磷薄膜发光二极管

张剑铭, 邹德恕, 刘思南, 徐 晨, 沈光地
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出版历程
  • 收稿日期:  2006-07-15
  • 修回日期:  2006-09-14
  • 刊出日期:  2007-05-20

新型全方位反射铝镓铟磷薄膜发光二极管

  • 1. 北京工业大学北京市光电子技术实验室,北京 100022
    基金项目: 

    北京市人才强教计划项目(批准号:05002015200504)和北京市科委高效高亮度单芯片半导体照明器件的研发与产业化(批准号:D0404003040221)资助的课题.

摘要: 提出了一种新型全方位反射铝镓铟磷(AlGaInP)薄膜发光二极管(LED)的结构和制作工艺,在这个结构里应用了低折射率的介质和高反射率的金属联合作为反光镜.用金锡合金(80Au20Sn,重量比)作为焊料把带有反光镜的AlGaInP LED外延片倒装键合到GaAs基板上(RS-LED),去掉外延片GaAs衬底,把被GaAS衬底吸收的光反射出去.通过与常规AlGaInP 吸收衬底LEDs(AS-LED)和带有DBR的AlGaInP 吸收衬底LEDs(AS-LED(DBR))电、光特性的比较,证明新型全方位反射AlGaInP薄膜LED结构能极大提高亮度和效率.正向电流20mA时,RS-LED的光输出功率和流明效率分别是AS-LED的3.2倍和2.2倍,是AS-LED(DBR)的2倍和1.5倍.RS-LED(20mA下峰值波长627nm)的轴向光强达到194.3mcd,是AS-LED(20mA下峰值波长624nm)轴向光强的2.8倍,是AS-LED(DBR)(20mA下峰值波长623nm)轴向光强的1.6倍.

English Abstract

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