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GaP薄膜的射频磁控溅射沉积及其计算机模拟

李阳平 刘正堂 赵海龙 刘文婷 闫 锋

GaP薄膜的射频磁控溅射沉积及其计算机模拟

李阳平, 刘正堂, 赵海龙, 刘文婷, 闫 锋
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出版历程
  • 收稿日期:  2006-08-09
  • 修回日期:  2006-10-18
  • 刊出日期:  2007-05-20

GaP薄膜的射频磁控溅射沉积及其计算机模拟

  • 1. 西北工业大学材料学院,西安 710072
    基金项目: 

    航空科学基金(批准号:04G53043)资助的课题.

摘要: 以GaP为靶材采用射频磁控溅射法制备GaP红外光学薄膜,通过保持Ar Ⅰ 750nm发射光谱线强度不变获得了不同工艺参数,并对沉积过程进行了计算机模拟.功率较小、气压较大时,Ga和P的溅射率、输运效率及沉积到衬底时的能量均较小,Ga的溅射率及输运效率均大于P的,使薄膜沉积速率较低、薄膜中Ga的含量大于P的,GaP薄膜产生较大吸收.功率较大、气压较小时,Ga和P的溅射率、输运效率及沉积到衬底时的能量均增大,Ga的溅射率大于P的、但其输运效率小于P的,使GaP薄膜的沉积速率增大、薄膜中Ga与P的含量接近化学计量比,GaP薄膜的吸收降低,因此有利于制备厚度较大的GaP薄膜.

English Abstract

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