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基于氧化锌纳米线的紫外发光二极管

孙 晖 张琦锋 吴锦雷

基于氧化锌纳米线的紫外发光二极管

孙 晖, 张琦锋, 吴锦雷
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出版历程
  • 收稿日期:  2006-11-09
  • 修回日期:  2006-12-19
  • 刊出日期:  2007-06-20

基于氧化锌纳米线的紫外发光二极管

  • 1. 北京大学电子学系,北京 100871
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展规划(批准号:2001CB610503)和国家自然科学基金(批准号:60471007,60471008,90406024,50672002)资助的课题.

摘要: 构建了基于n-ZnO纳米线/p-Si异质结的紫外发光二极管.ZnO纳米线准阵列采用水热法生长于重掺p型Si片上.此法简易,反应温度低,易于大规模生产;其产物ZnO纳米线结晶良好,以c轴为优势取向,光激发下的紫外荧光发射很强.二极管的电学接触采用聚合物填充的In阴极或以氧化铟锡(ITO)玻璃紧压形成阴极.它们的I-V特性体现出良好的二极管性质.在正向偏置电压驱动下,构建的发光二极管可稳定发射波长在387nm的较强的近紫外光和较弱的绿光.

English Abstract

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