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氮化铟p型掺杂的第一性原理研究

丁少锋 范广涵 李述体 肖 冰

氮化铟p型掺杂的第一性原理研究

丁少锋, 范广涵, 李述体, 肖 冰
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出版历程
  • 收稿日期:  2006-11-08
  • 修回日期:  2006-12-07
  • 刊出日期:  2007-07-20

氮化铟p型掺杂的第一性原理研究

  • 1. (1)华南师范大学光电子材料与技术研究所,广州 510631; (2)西安交通大学材料学院,西安 710049
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:50602018),广东省自然科学基金(批准号:06025083),广东省科技攻关计划(批准号:2006A10802001),广州市科技攻关重大项目(批准号:2005Z1-D0071)资助的课题.

摘要: 采用基于密度泛函理论(DFT)的总体能量平面波超软赝势法,对Mg,Zn,Cd掺杂InN的32原子超原胞体系进行了几何结构优化,从理论上给出了掺杂和非掺杂体系的晶体结构参数,其中非掺杂体系的理论值与实验值符合很好. 计算了掺杂InN晶体的结合能,总体态密度、集居数,差分电荷密度,并对此做了细致的分析. 计算结果表明,相对于Zn和Cd,MgIn在InN中的溶解度会更大,并能提供更多的空穴态,非常有利于InN的p型掺杂.

English Abstract

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