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InAlAs/InGaAs/InAlAs量子阱高迁移率二维电子气系统中的反弱局域效应研究

周文政 林 铁 商丽燕 黄志明 崔利杰 李东临 高宏玲 曾一平 郭少令 桂永胜 褚君浩

InAlAs/InGaAs/InAlAs量子阱高迁移率二维电子气系统中的反弱局域效应研究

周文政, 林 铁, 商丽燕, 黄志明, 崔利杰, 李东临, 高宏玲, 曾一平, 郭少令, 桂永胜, 褚君浩
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出版历程
  • 收稿日期:  2006-11-09
  • 修回日期:  2006-12-13
  • 刊出日期:  2007-07-20

InAlAs/InGaAs/InAlAs量子阱高迁移率二维电子气系统中的反弱局域效应研究

  • 1. (1)中国科学院半导体研究所,北京 100083; (2)中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海 200083; (3)中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海 200083;广西大学物理科学与工程技术学院,南宁 530004; (4)中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海 200083;华东师范大学ECNU-SITP成像信息联合实验室,上海 200062
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展规划项目(批准号:001CB309506)和国家自然科学基金(批准号: 60221502,10374094)资助的课题.

摘要: 研究了Si 重δ 掺杂In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As单量子阱内高迁移率二维电子气系统中的反弱局域效应. 研究表明,强的Rashba自旋轨道相互作用来源于量子阱高的结构反演不对称. 高迁移率系统中,粒子的运动基于弹道输运而非扩散输运. 因此,旧的理论模型不能用于拟合实验结果. 由于最新的模型在实际拟合中过于复杂,一种简单可行的近似用于处理实验结果,并获得了自旋分裂能Δ0和自旋轨道耦合常数α两个重要的物理参数. 该结果与对纵向电阻的Shubnikov-de Haas—SdH振荡分析获得的结果一致. 高迁移率系统中的反弱局域效应研究表明,发展有效的反弱局域理论模型,对于利用Rashba自旋轨道相互作用来设计自旋器件尤为重要.

English Abstract

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