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磷化铟复合沟道高电子迁移率晶体管击穿特性研究

龚 敏 李 潇 张海英 尹军舰 刘 亮 徐静波 黎 明 叶甜春

磷化铟复合沟道高电子迁移率晶体管击穿特性研究

龚 敏, 李 潇, 张海英, 尹军舰, 刘 亮, 徐静波, 黎 明, 叶甜春
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出版历程
  • 收稿日期:  2006-11-14
  • 修回日期:  2006-11-24
  • 刊出日期:  2007-07-20

磷化铟复合沟道高电子迁移率晶体管击穿特性研究

  • 1. (1)四川大学物理科学与技术学院,成都 610064; (2)四川大学物理科学与技术学院,成都 610064;中国科学院微电子研究所,北京 100029; (3)中国科学院微电子研究所,北京 100029
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:60276021)和国家重点基础研究规划(批准号:G2002CB311901)资助的课题.

摘要: 用密度梯度量子模型定量研究了磷化铟(InP)复合沟道高电子迁移率晶体管(HEMT)的击穿特性,考虑了复合沟道内碰撞电离以及沟道量子效应,重点研究了器件击穿电压随In0.7Ga0.3As沟道厚度的变化关系,提出了提高击穿电压的方法,采用商用器件模拟软件Sentaurus模拟了器件的开态击穿电压,对比了实验和模拟的结果. 研究表明:适当减小In0.7Ga0.3As沟道层的厚度可以在保持器件饱和电流基本不变的前提下大幅度提高开态击穿电压,这对于提高InP基HEMT的功率性能具有重要意义.

English Abstract

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