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氮分压对氮化铜薄膜结构及光学带隙的影响

徐 慧 李燕峰 李明君 肖剑荣

氮分压对氮化铜薄膜结构及光学带隙的影响

徐 慧, 李燕峰, 李明君, 肖剑荣
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出版历程
  • 收稿日期:  2006-06-20
  • 修回日期:  2006-12-07
  • 刊出日期:  2007-07-20

氮分压对氮化铜薄膜结构及光学带隙的影响

  • 1. (1)中南大学物理科学与技术学院,长沙 410083; (2)中南大学物理科学与技术学院,长沙 410083;桂林工学院数理系,桂林 541004

摘要: 在不同的氮分压r(r=N2/[N2+Ar])和射频功率P下,使用反应射频磁控溅射法,在玻璃基片上制备了氮化铜薄膜样品.用台阶仪测得了薄膜的厚度,用原子力显微镜、X射线衍射仪、紫外-可见光谱仪对薄膜的表面形貌、结构及光学性质进行了表征分析.结果表明,薄膜的沉积速率随P和r的增加而增大.薄膜表面致密均匀,晶粒尺寸为30nm左右.随着r的增加,薄膜颗粒增大,且薄膜由(111)晶面转向(100)晶面择优生长.薄膜的光学带隙Eg在1.47—1.82eV之间,随r的增加而增大.

English Abstract

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