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MnxGe1-x稀磁半导体薄膜的结构研究

孙 玉 孙治湖 朱三元 史同飞 叶 剑 潘志云 刘文汉 韦世强

MnxGe1-x稀磁半导体薄膜的结构研究

孙 玉, 孙治湖, 朱三元, 史同飞, 叶 剑, 潘志云, 刘文汉, 韦世强
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出版历程
  • 收稿日期:  2007-01-23
  • 修回日期:  2007-02-25
  • 刊出日期:  2007-09-20

MnxGe1-x稀磁半导体薄膜的结构研究

  • 1. (1)中国科学技术大学国家同步辐射实验室,合肥 230029; (2)中国科学技术大学国家同步辐射实验室,合肥 230029;中国科学技术大学物理系,合肥 230026; (3)中国科学技术大学物理系,合肥 230026
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:10404023, 10635060)资助的课题.

摘要: 利用X 射线衍射(XRD)和X射线吸收精细结构(XAFS)方法研究了磁控共溅射方法制备的MnxGe1-x薄膜样品的结构随掺杂磁性原子Mn含量的变化规律.XRD结果表明,在Mn的含量较低(7.0%)的Mn0.07Ge0.93样品中,只能观察到对应于多晶Ge的XRD衍射峰,而对Mn含量较高(25.0%, 36.0%)的Mn0.25Ge0.75和Mn

English Abstract

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