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锐钛矿(TiO2)半导体的氧空位浓度对导电性能影响的第一性原理计算

侯清玉 张 跃 陈 粤 尚家香 谷景华

锐钛矿(TiO2)半导体的氧空位浓度对导电性能影响的第一性原理计算

侯清玉, 张 跃, 陈 粤, 尚家香, 谷景华
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出版历程
  • 收稿日期:  2007-03-11
  • 修回日期:  2007-05-11
  • 刊出日期:  2008-01-15

锐钛矿(TiO2)半导体的氧空位浓度对导电性能影响的第一性原理计算

  • 1. 北京航空航天大学材料科学与工程学院,北京 100083
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:50436040)资助的课题.

摘要: 基于低温重氧空位锐钛矿半导体的态密度计算,在同等条件下研究取不同大小模型的锐钛矿做适量浓度的氧空位存在,分别对进入导带的相对平均电子数和氧空位类杂质的散射迁移率进行计算,之后对电导率进行类比,发现锐钛矿半导体的导电性能对适量浓度低的氧空位有利可行得到了证明.同时,低温重氧空位的条件下,锐钛矿半导体的电导率不仅与氧空位浓度有关,而且和进入导带的平均电子数有关,和氧空位散射的电子迁移率有关的正确结论.

English Abstract

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